РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНА НА АТОМЕ ПРИМЕСИ

ЭСММИО: Электронное Сопровождение Массового Многоуровневого Индивидуализированного Обучения SW-university.cov (С) Чирцов А.С. Лекция записана в ВШЭ Раздел : Квантовая микрофизика Тема: Механика квантовой механики Лекция: СИСТЕМЫ С БЕСКОНЕЧНЫМ СЧЕТНЫМ КОЛИЧЕСТВОМ СОСТОЯНИЙ Вопрос: РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНА НА АТОМЕ ПРИМЕСИ Рассматривается система уравнений для амплитуды пребывания электрона вблизи  эквивалентных между собой атомов бесконечного одномерного кристалла в случае, когда один из атомов  заменён атомом примеси, вблизи которого  локализованный электрон  имеет энергию большую , чем в случае его локализации вблизи любого языка валентных атомов бесконечной цепочки. Показывается, что в этом случае система уравнений удовлетворяется, если решение ищется в виде суперпозиции двух распространяющихся во всех направлениях волн (“ падающий”  и “ отражённой”)  с одной стороны атома примеси и одной  “прошедшей”  волны по другую сторону. Вводятся коэффициенты отражения от атома примеси и коэффициент пропускания. Показывается, что  сумма вероятностей для электрона отразится от атома примеси и продолжить первоначальное движение равна единице. Длительность: 0 : 16: 03: Хостинг: Youtube, Vk